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“這是你們設計的方案？”

王中軍將手裡的檔案翻的嘩嘩作響，邊看邊忍不住皺起了眉頭來。

“用腐蝕劑的各向同性來製作探針，你們考慮過這裡面的工作量嗎？”

“使用可控制侵蝕速度的硝酸和氫氟酸，我們計算過可能的配比，至少要做上千組實驗。”

鍾大華的聲音沒有多少波動，昨晚吳牧提出這個思路之後，他們倆就已經透過代理公司蒐集了相關的資訊，但情況卻有些出人意料。

在美國的資料庫裡，並沒有與這個思路相關的技術。

事實上從八十年代起，溼法蝕刻在美國就已經屬於落後技術了。隨著製程技術的提高，現在業界主流已經是幹法蝕刻更勝一籌，因為幹法蝕刻的各向異性更好，晶片的成品率自然更高。

也就是說在溼法蝕刻這個路線上，業界並沒有走到盡頭就更換了路線。

美國人技術比較先進，八十年代之後製程技術發展到微米級，為了克服溼法蝕刻的缺點，應用材料公司直接推出了幹法蝕刻的PVD技術，乾脆另開爐灶了！幹法蝕刻是用等離子體直接撞擊晶圓，從化學反應變成了物理反應，乾脆沒有各向同性的問題了。

當然，後來幹法蝕刻的物理性蝕刻也不能滿足需求，於是業界又把溼法蝕刻撿回來了。但那也是利用離子蝕刻機將化學腐蝕劑離子化之後，在PECVD基礎上搞的溼法蝕刻。

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