<!--go-->

1nm是什麼概念？用對比就很清晰了，一個矽原子才0.384nm。1nm都沒有三個矽原子合在一起大，也就是說，1nm晶片電晶體結構中柵極的線寬，僅夠兩個矽原子並列，三個都擠不下。

從當前的理論來看，1nm晶片已是矽基晶片的理論極限了，因為到了這個製程工藝，量子隧穿的效應將無法避免，簡單來說，就是電子會從一個電晶體無法控制地跑向另一個電晶體，使得電晶體的“0”和“1”狀態混亂起來，導致該電晶體失效，晶片也就自然無法正常工作。

其實在7nm製程時，量子隧穿效應已有一定機率出現了，只是透過特殊的新結構來解決罷了，但這樣的結果就功耗加大，晶片發熱量增加。

而且這樣的新結構到了1nm時，因為量子隧穿效應的發生率太高而失效，能耗與發熱量都超過了可以接受的範圍。

當然，理論是不斷地進化的，據說IBM與三星在不久前就聲稱研究出了所謂的“VTFET技術”，即“垂直傳輸場應電晶體技術”，以垂直方式堆疊電晶體，讓晶片的電流以垂直的方式進行流通，以此減少量子隧穿效應，進而將矽基晶片的制藝推進到1nm以內。

然而這更像是拿著不完善的實驗室資料來吹噓，提前吸引市場關注、提振股價，距離實驗室出成果還有遙遠的距離。

Loading...

未載入完，嘗試【重新整理】or【退出閱讀模式】or【關閉廣告遮蔽】。

嘗試更換【Firefox瀏覽器】or【Chrome谷歌瀏覽器】開啟多多收藏！

移動流量偶爾打不開，可以切換電信、聯通、Wifi。

收藏網址：www.peakbooks.cc

(＞人＜；)