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“各位董事，要是EUVLLC聯盟在未來二年內從理論上證明研製EUV光刻機的技術可行，將這個寶貴的機會和重任交給GCA，公司不可能放棄，但投資巨大，半導體產業陷入衰退又不可避免，避免兩線作戰，造成資金捉襟見肘，我們只能將重心放在EUV光刻機的研製上。我建議艾德里安先生和湯普森院長出面找SVG商談，聯合開發157nm鐳射器。”

孫健估計，EUVLLC聯盟在明年底前就能證明製造EUV光刻機在理論上的可行性，但EUV光刻機量產最起碼還需要10年，如今也不能告訴大家，到時由BSEC免費提供193nm浸沒式光刻機專利技術給GCA。

BSEC是在GCA擁有的第一代193nmArF準分子鐳射器專利技術基礎上研發成功193nm浸沒式光刻機技術，核心還是GCA擁有技術專利的193nm準分子鐳射器，GCA研製的第二代、第三代193nm準分子鐳射器也授權BSEC技術；雖然浸沒式光刻技術屬於BSEC重新開發的公司發明專利，但按照當初簽訂的專利技術授權轉讓合同，要免費授權給GCA使用，就像GCA去年研發成功的第三代（12英寸晶圓、90nm製程工藝）磁懸浮式雙工作臺系統，專利還是屬於BSEC，授權GCA免費使用。

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