“3D電晶體或許有人熟悉有人陌生，事實上，這早已不是什麼新鮮的概念，最早的耗盡型貧溝道電晶體我們在1989年就見到過，之後基於DELTA技術的多閘極電晶體成為業內一個重要的研究方向。

像伴英特爾早在2002年就對外宣傳他們的3D電晶體設計，大風集團也很早就開始大力投入3D電晶體的研發。

為什麼這麼多人盯著這個方向，說白了，就是因為當電晶體的尺寸縮小到25nm以下時，傳統的螢幕尺寸卻已經無法縮小，那麼問題就會出現。

我們一起來看大螢幕。”

大螢幕上出現了幾張技術分析圖，“二維結構電晶體自上世紀60年代開始應用，到現在已使用接近半個世紀，然而我們注意到，隨著閘極長度越來越小，源極和汲極的距離越來越近，閘極下方的氧化物也越來越薄，從而加劇漏電的可能性。

同時，原本電子是否能由源極流到汲極是由閘極電壓來控制的，但是閘極長度越小，閘極與通道之間的接觸面積也越小，也就是閘極對通道的影響力變小了。

尤其是當閘極長度縮小到20奈米以下的時候，這些問題格外明顯。

而當原本的源極和汲極拉高變成立體板狀結構時，源極和汲極之間的通道變成了板狀，閘極與通道之間的接觸面積一下子就變大了。

這樣一來即使閘極長度縮小到20奈米以下仍然能保留很大的接觸面積，仍然可以控制電子是否能由源極流到汲極，可以說，多閘極電晶體的載子通道受到接觸各平面的閘極控制，提供了一個更好的方法可以控制漏電流。

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