楊傑對此倒是有足夠的耐心，前世的時候艾斯摩爾公司也是花費了十多年時間和技術積累才推出了紫外光光刻機產品出來。

其實從2000年以來，在光學光刻技術努力突破解析度“極限”的同時，海外很多研究機構也是在研發包括極紫外線光刻技術，電子束光刻技術，x射線光刻技術，奈米壓印技術等不同的光刻技術。

其中x射線光刻技術被提出來進行研發的主要原因是因為x射線的波長極短，x射線在用於光刻時的波長通常在0.7到0.12奈米之間，它極強的穿透性決定了它在厚材料上也能定義出高解析度的圖形來。

不過這種技術現階段來說有兩個極大的困難，一個就是如何得到能夠長時間穩定可靠工作的光源，到現在為止，世界上還沒有辦法造出符合這樣條件的的光源來，因為現階段人類製造出第三代同步輻射光源都已經拿出吃奶的勁了。

而且使用x射線光刻技術最主要且最困難的技術就是掩模製造技術，其中1：1的光刻非常困難，是妨礙技術發展的難題之一。

在過去的發展中，科學家對其已經得到了巨大的發展，也有一些新型材料的發現以及應用，有一些已經在實驗室中得以實踐，但對於工業發展還是沒有什麼重大的成就。

x射線掩模的基本結構包括薄膜、吸收體、框架、襯底，其中薄膜襯基材料一般使用矽、碳化矽、金剛石，吸收體主要使用金、鎢等材料。

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