英飛凌用體矽工藝製造出來的電晶體和電晶體邏輯器件在整合能力上是最好的，與砷化鎵和氮化鎵相比，這套工藝不需要額外的氧化層，也不需要不同的材料作為晶圓加工的一部分，這意味著生產成本可以控制在非常低的水平，而且也能實現電路板板上空間受限的設計，這是一種製造成本低、效能較高和具備不錯低功耗效能的成熟技術。【←八【←八【←讀【←書，.2↘

現階段來說中晶微掌握得最好的工藝技術是FinFet工藝，在傳統的金氧半導體結構電晶體和電晶體邏輯器件上的工藝還是欠缺些，這方面萬國商業機器公司和英特爾德州儀器這樣的傳統晶圓大廠在這方面有著大量的技術專利，形成了無比堅固的專利壁壘。

而且這些公司這麼多年來不斷地在傳統的架構上進行改良，其中就包括利用高K電介質減少漏電，再一個就是利用了應變矽技術，還有利用金屬柵極應對多元消耗的技術。

英特爾這方面技術是做得最好的，現在已經是開始將高K電介質和金屬柵極技術引入了自己45奈米工藝製程節點。

譚雲松帶領的技術團隊在加入中晶微後主攻的方向是FinFet和soi這兩種工藝，因為這兩種工藝都是新結構，受國外的技術限制少，但也不意味著公司就沒有在傳統的金氧半導體結構工藝上下功夫。

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