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我們都知道摩爾定律,對,就是那句著名的話。
【當價格不變時,積體電路上可容納的元器件的數目,約每隔18-24個月便會增加一倍,效能也將提升一倍。】
這條定律或者說這個現象已經持續了半個世紀了,不過仍應該被認為是觀測或推測,而不是一個物理或自然法。
事實上摩爾定律也有上線或者說天花板,一般科學家認為目前這種半導體光刻晶片製造技術的天花板應該在2nm左右,
因為單個原子核的直徑大概在0.1nm這個量級,間距做到十個原子就是極限了。最多也就做到1nm,還得看實測的效果。一定的穩定性可靠性下,可能2nm就到極限了。
當然了,也有科學家提出了1nm概念,也就是說突破部分科學家認為的2nm極限,從而達到這類矽半導體光刻晶片的頂端1nm。
從3奈米開始,每提升一個量級,將會非常的困難,這比之前7奈米到5奈米,5奈米到3奈米還要困難。
所以晶片製造技術將會出現短時間的瓶頸期,直到新的技術和工藝出現,亦或者是出現新的材料。
比如目前科學家提出的用碳材料來替代矽材料,來用於晶片製造材料,其效能要比目前矽基晶片要有很大的提升。
此外,光子晶片,量子晶片,生物晶片技術也在迅速發展之中。比如量子晶片,目前已經有了初步雛形。而光子晶片呢,發展也是非常迅速的。尤其是有了吳浩他們這次所提供的複合透鏡鏡片技術的支援,相信光子晶片將會很快問世。
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