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第三百八十四章 MOCVD

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第三百八十四章

目前,發展較好的寬禁帶半導體主要是SiC和GaN這兩種。

在燕大的半導體研究中心這,主要研究的寬禁帶半導體物件是GaN。

在GaN基寬禁帶半導體領域,該研究中心一直處於國內領先地位。

註冊擁有的和GaN寬禁帶半導體有關的發明專利,多達二十多個。

包括GaN基外延層的大面積、低功率鐳射剝離方法,銦鎵氮單晶薄膜MOCVD外延生長技術等等。

第三代寬禁帶半導體擁有良好的物理化學效能,可應用在諸多的領域。

而現在,根據第三代半導體的發展情況,其主要應用為半導體照明、電力電子器件、鐳射器和探測器、以及其他4個領域。

各個領域產業成熟度各不相同。

但在前沿研究領域,寬禁帶半導體還處於實驗室研發階段。

目前市面上主流的半導體,還是以第一代半導體和第二代半導體為主。

其原因嘛……

當然是第三代寬禁帶半導體還有很多技術難題沒有攻克。

燕大的半導體研究所正在進行的工作,就是全力攻克這些難題,早日實現第三代半導體技術的徹底成熟,應用於市場。

…………

寬禁帶半導體實驗室,顧律三人穿著深棕色的實驗服,在張主任的帶領下走進去。

實驗室的面積很大。

將近有半個籃球場的大小。

一眼望去,可以看到實驗室內數位研究員在各臺儀器前緊張的忙碌著。

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