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“現代的光刻技術分成幾個步驟，首先是氣相成底膜，就是矽片在清洗、烘培後首先透過浸泡、噴霧或化學氣相沉積等工藝。

然後是旋轉塗膠，是形成底膜後，要在矽片表面均勻覆蓋光刻膠，此時矽片被放置在真空吸盤上，吸盤底部與轉動電機相連，當矽片靜止或旋轉的非常緩慢時，光刻膠被分滴在矽片上，隨後加速矽片旋轉到一定的轉速，光刻膠藉助離心作用伸展到整個矽片表面，並持續旋轉甩去多餘的光刻膠，在矽片上得到均勻的光刻膠膠膜覆蓋層，旋轉一直到溶劑揮發，光刻膠膜幾乎乾燥後停止。

然後是軟烘，是塗完光刻膠後，需對矽片進行軟烘，除去光刻膠中殘餘的溶劑，提高光刻膠的粘附性和均勻性。未經軟烘的光刻膠易發粘並受顆粒汙染，粘附力會不足，還會因溶劑含量過高導致顯影時存在溶解差異，難以區分曝光和未曝光的光刻膠。

還有曝光，這個過程是在矽片表面和石英掩模對準並聚焦後，使用紫外光照射，未受掩模遮擋部分的光刻膠發生曝光反應，實現電路圖從掩模到矽片上的轉移。

顯影，是使用化學顯影液溶解由曝光造成的光刻膠可溶解區域，使可見圖形出現在矽片上，並區分需要刻蝕的區域和受光刻膠保護的區域。顯影完成後透過旋轉甩掉多餘顯影液，並用高純水清洗後甩幹。

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