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在此之前，能夠做到可程式設計，可讀寫，斷電後儲存資料不消失的半導體非易失性儲存器，只有英特爾發明的EEPROM。

但是英特爾的EEPROM存在明顯短板，那就是讀寫效能差、難以提高整合度等。

也就是說，英特爾根本不適合儲存大容量的資料，因此只能用於計算機的BIOS引導晶片，用來引導計算機作業系統的啟動。

而舛岡的解決思路，是“故意降低效能”。

簡單來說，EEPROM的擦寫資料方式是以位元組為單位來進行的。

而到了NOR晶片當中，這些原本都拿著單獨號碼牌的資料，被打包成一個個“小集體”來看待，即以塊為單位來進行擦和寫。

在晶片裡，“號碼牌”本身就佔據了電路的一部分，以前是一個房間一個號碼牌，現在變成了一棟大樓一個號碼牌，這麼一來，“號碼牌”就大大減少了，晶片的面積自然就縮小了，容量也更大，雖然寫入速度變慢了，但是擦除速度卻變快了。

效能總體還是降低了，但是這個代價換來的卻是成本的巨大節約，達到了量產的要求。

而且速度也並非真正的慢，畢竟半導體內的電子都是以光速在執行，因此舛岡富士雄將之命名為FLASH，意思是速度像閃光燈一樣快的儲存，國內將之翻譯成了“快閃記憶體”。

快閃記憶體的出現毫無疑問應該是跨時代的產品了，然而就算到了現在，全世界絕大多數產商都沒有意識到它的真正價值，就算是舛岡富士雄所在的東芝，以及首先注意到快閃記憶體產業的INTEL，都將之定位在計算機的系統引導晶片這一狹小的應用範圍裡。

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