【FBI突然出動，抓住了潛伏其內十年的臥底。】

【FBI抓住一名臥底，疑似華國人？】

【近日FBI抓住一名臥底，在庭審前日晚畏罪自殺】

【臥底自殺？還是另有原因！】

……

一條條相關的新聞，開始爭搶起了各種頭條。

這樣的新聞，不得不引起人們的注意，臥底？

還有臥底畏罪自殺？

對於這樣的訊息，每個看到的人都感到震驚。

華國國內，在網路上討論的人也很多，都不知道這個臥底是否真的是他們的人。

畢竟這些都只是從國外傳出的訊息，沒有人知道詳情。

而相比較這個政治上的事情，對於半導體界人來說，卻更加關注另外一條訊息。

國外的制裁技術又加上了幾條，一條，準鐳射發射器。

這個東西，是光刻機光源中十分必要的一個部件。

其主要就是利用二氧化碳鐳射器發射出極高能的鐳射，輸出超過30kW平均功率的鐳射束，脈衝峰值最高可達幾兆瓦，然後如此高能的鐳射，擊打在不斷從上方滴下的錫珠上，然後使其發射出波長為13.5nm的極紫外光。

而想要在二氧化碳鐳射器上實現如此高的功率，普通的技術完全行不通，而華國當前的二氧化碳鐳射器在功率上並不能達到這種要求，而需要知道的是，這個功率，最終影響的就是EUV光源的實際功率。

如果EUV光源沒有足夠大的功率，對他們的影響，十分之大。

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