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在會議室裡面，周曉東那是直接上手開始在白板上面開始畫出了這種第三代TLC儲存顆粒的內部架構電路圖。

“為了提高快閃記憶體晶片的容量，我設計的這個快閃記憶體架構裡面字線對應著三個讀寫單元，我們將電壓分成八份，可以表示000001010011100101110111八種狀態，最小的儲存單元可以表示3個位元。”

在座的眾多技術骨幹都是技術經驗豐富的晶片設計研發人員，在周曉東畫出架構電路圖後很快便明白了周曉東這種設計概念。

其實浮柵電晶體這種最基本的儲存單元發展到現在結構和材料並沒

《大國芯之重生九零》135章 第三代快閃記憶體技術！ 正在手打中，請稍等片刻，

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