微電子系接下來兩個課題。

其一，把光刻精度從現在的100奈米提高到80奈米，並試著增加光刻規模。

光刻精度提升之後，電晶體會變得更小，相同數量的電晶體耗電量也會下降，現在的圖形控制晶片耗電量為42瓦，單純提高精度至80奈米，不調整構架，保持相同數量電晶體時，最優解功耗會降低至27瓦。

精度提高之後才輪到規模，每次精度的提升都是換代，為了保證良品率，規模都要重新從小的做起。

晶圓產業的良品率和常規零部件的意義不那麼相同，比如現在中原地區普及的10微米精度的零件，一百個都不一定有個次品。

晶片就完全是另一回事，矽的純度做不到百分之百，越接近邊緣雜質會越多。雜質少晶片功耗會上升，勉強還能用，只是偶爾會莫名其妙的燒燬，稍微多那麼幾萬分之一雜質或瑕疵，就會導致晶片變成廢品。

所以單晶片規模（面積）增大，碰到晶圓瑕疵的機率也跟著變大，就會導致良品率降低，無腦提升規模的結果，會把生產變成一個從廢品裡找良品的遊戲。

大學下一階段的目標，是在精度換代之後，把晶片規模由現在的100平方毫米提高到144平方毫米，並試圖保證良品率，精度和規模兩項提升加在一起，足以讓電晶體翻倍還有一點餘量，達成全面替代微型玄學圖形晶片的目的，生產成本也不會高太多。如果啥時候晶圓製備尺寸、純度再升個級，成本會比現在還低。

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