當然，現有的積體電路生產工藝只能生產一些低壓的晶片，大功率器件有很多特有的技巧困難，就比如說晶片的減薄工藝，背面工藝，解決這些困難工藝需要重新制定，而且也需要特別的工藝裝置，而且國內在這方面的根本沒有經驗。

別的不說，igbt晶片厚度是是特定的，需要減薄到200-100um，甚至到80um，現在國內可以將晶圓減薄到175um，再低就沒有能力了，當矽片磨薄到如此地步後，後續的加工處理就比較艱苦了，極易破碎，難度非常大。

而背面工藝包含了背面離子注進，退火啟用，背面金屬化等工藝步驟，這些背面工藝必須在不超過450°c低溫下進行，退火啟用這一步難度不比中晶微研發新的製程工藝難度低。

在模組封裝技巧方面，華越電子公司跟中晶微算是控制了封裝技巧，但是在高壓模組封裝技巧經驗上欠缺得很。

幸虧這幾年中晶微跟華越電子公司也是造就出了一批高階工藝開發職員，瑞星科技公司在裝置上也是有了必定的實力，至少在生產製作上倒不是毫無實力。

美國國內的公司在設計製作igbt晶片上實力是最壯大的，楊傑現在也是讓美國的公司尋找有經驗的設計職員，現在已經找到了幾個合適的研發職員，下個月這幾個職員就會回國進進龍芯半導體公司開端這方面的研發設計工作。

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