楊傑在畫完後笑著說道：“在平面結構，國內外的晶圓公司都是透過改變通道的寬度來實現選擇器件的驅動強度，不過要想做到減少各種SEC來保持高電壓比較困難，因為很容易受到摻雜劑的誘導，這種機構的話，柵極機構被纏繞在通道周圍，主體也薄，受到摻雜劑誘導的變化影響比較小，這樣可以讓給電晶體更高的驅動電流，速度更快，洩漏也更低，整體的功耗更低，也更適合製造出更小尺寸的電晶體。”

徐工看到這個結構圖後也是雙眼冒光：“小杰，你這個想法真是天才呀！”

“徐工，我只是提出一個想法，具體的生產流程還是得你們自己摸索。”楊傑笑著說道。

這種結構的製程工藝一直是聯電晶圓廠的絕密技術，二十多年裡面申請了5000多項專利技術，不過他並不覺得國內的這些技術人員就比這些臺灣人笨，只是這些年以來一直受限於資金跟實際生產經驗不足。

而楊傑現在要做的只是把這層窗戶紙捅破而已，只要給徐少秋這些人足夠的資金和時間，攻克製程工藝只是早晚的事情。

“這個結構無疑是顛覆性的，可是生產起來工藝就複雜很多了。”楊明輝說道：“成本上就比我們現在掌握的常規MOS製程要高。”

“其實這種架構的製程工藝比現在的製程工藝成本上也高不了太多，不過帶來的是高效能的晶片，這個優勢就很明顯了，而且現在國外這些晶圓廠已經在常規的MOS製程工藝上積累了大量的專利技術，我們只能另闢蹊徑，不然非常容易遭到人家的圍追堵截。”

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